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经皮穴位电刺激对开颅术围术期脑损伤相关因子的影响

  • 文章导读:

    王均炉  任秋生  沈财成  谢文霞  郑瑞献  倪剑武
    (温州医学院附属第一医院,中国浙江 325000)

    目的:观察经皮穴位电刺激(TAES)对颅脑手术围术期脑损伤的脑保护效应。


    方法:神经外科择期手术患者50例,随机分为观察组(n=25)和对照组(n=25)。观察组在麻醉诱导30 min前开始直到术毕持续进行TAES,具体方法:麻醉诱导30 min前,选两侧合谷曲池足三里三阴交两组,连接LH 402韩氏经皮穴位刺激仪;刺激方式采用2~100 Hz的疏密波,电流强度以患者能耐受的最大电流为度,在8~12 mA之间调节。术中保持刺激方式、强度不变,切口缝合完毕时关闭穴位刺激仪。对照组不采用TAES。患者麻醉诱导后采用持续吸入七氟醚和间断静脉注射舒芬太尼和维库溴胺维持麻醉。分别在麻醉诱导前(T0)、颅内操作60 min (T1)、术毕(T2)、术后24 h (T3)、术后48 h (T4)取颈内静脉血,测定内皮素(ET)、降钙素基因相关肽(CGRP)、白介素-6(IL-6)、S100β蛋白水平。


    结果:观察组患者ET水平在T2明显低于对照组(P<0.01);CGRP在两组各时点比较无明显差异(P<0.05);IL-6在T1对照组高于观察组(P<0.01);S100β在T1、T4对照组明显高于观察组(P<0.05)。


    结论:TAES可以调控ET/CGRP使脑组织微循环得以改善,降低IL-6介导的促炎性反应等,对颅脑手术围术期脑损伤起到保护作用。

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